D-Band SiGe BiCMOS Power Amplifier With 16.8dBm P₁dB and 17.1% PAE Enhanced by Current-Clamping in Multiple Common-Base Stages

Petricli, I. ; Riccardi, D. ; et al.

In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-03-01), Heft 3, S. 288-291

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Titel:	D-Band SiGe BiCMOS Power Amplifier With 16.8dBm P₁dB and 17.1% PAE Enhanced by Current-Clamping in Multiple Common-Base Stages
Autor/in / Beteiligte Person:	Petricli, I. ; Riccardi, D. ; Mazzanti, A.
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-03-01), Heft 3, S. 288-291
Veröffentlichung:	2021
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1531-1309 (print) ; 1558-1764 (print)
DOI:	10.1109/LMWC.2021.3049458
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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