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A 1-Tb Density 4b/Cell 3D-NAND Flash on 176-Tier Technology with 4-Independent Planes for Read using CMOS-Under-the-Array

Pekny, Ted ; Vu, Luyen ; et al.
In: IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC); Jg. 65 (2022-02-20) S. 1-3
Online Konferenz

Titel:
A 1-Tb Density 4b/Cell 3D-NAND Flash on 176-Tier Technology with 4-Independent Planes for Read using CMOS-Under-the-Array
Autor/in / Beteiligte Person: Pekny, Ted ; Vu, Luyen ; Tsai, Jeff ; Srinivasan, Dheeraj ; Yu, Erwin ; Pabustan, Jonathan ; Xu, Joe ; Deshmukh, Srinivas ; Chan, Kim-Fung ; Piccardi, Michael ; Xu, Kevin ; Wang, Guan ; Shakeri, Kaveh ; Patel, Vipul ; Iwasaki, Tomoko ; Wang, Tongji ; Musunuri, Padma ; Gu, Carl ; Mohammadzadeh, Ali ; Ghalam, Ali ; Moschiano, Violante ; Vali, Tommaso ; Park, Jaekwan ; Lee, June ; Ghodsi, Ramin
Link:
Quelle: IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC); Jg. 65 (2022-02-20) S. 1-3
Veröffentlichung: 2022
Medientyp: Konferenz
ISBN: 978-1-6654-2800-2 (print)
ISSN: 2376-8606 (print)
DOI: 10.1109/ISSCC42614.2022.9731691
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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