46% Peak PAE 28 GHz High Linearity Stacked-FET Power Amplifier IC with a Novel Two-Step Adaptive Bias Circuit in 45-nm SOI CMOS

Sugiura, Tsuyoshi ; Yoshimasu, Toshihiko

In: 17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC); (2022-09-26) S. 165-168

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Titel:	46% Peak PAE 28 GHz High Linearity Stacked-FET Power Amplifier IC with a Novel Two-Step Adaptive Bias Circuit in 45-nm SOI CMOS
Autor/in / Beteiligte Person:	Sugiura, Tsuyoshi ; Yoshimasu, Toshihiko
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Quelle:	17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC); (2022-09-26) S. 165-168
Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-2-87487-070-5 (print)
DOI:	10.23919/EuMIC54520.2022.9923449
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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