Revolutionizing Fe doped back barrier AlGaN/GaN HEMTs: Unveiling the remarkable 1700V breakdown voltage milestone

Jebalin, I.V.Binola K ; Franklin, S. Angen ; et al.

In: Microelectronics Journal, Jg. 147 (2024-05-01)

academicJournal

Titel:	Revolutionizing Fe doped back barrier AlGaN/GaN HEMTs: Unveiling the remarkable 1700V breakdown voltage milestone
Autor/in / Beteiligte Person:	Jebalin, I.V.Binola K ; Franklin, S. Angen ; G, Gifta ; P, Prajoon ; Nirmal, D.
Zeitschrift:	Microelectronics Journal, Jg. 147 (2024-05-01)
Veröffentlichung:	2024
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0026-2692 (electronic)
DOI:	10.1016/j.mejo.2024.106158
Sonstiges:	Nachgewiesen in: ScienceDirect Sprachen: English

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